光刻机发布会专家观点合集(产业专家、企业高管、分析师)

光刻机发布会专家观点合集(产业专家、企业高管、分析师)

一、ASML 官方发布会核心观点(High‑NA EUV EXE:5200B)

ASML CEO 傅恪礼：AI 芯片资本开支是拉动 EUV 需求的核心引擎，当前客户订单需求已经排至 2030 年，2027-2028 年现有产能不足以覆盖全部客户需求。公司会同步扩充 Low‑NA EUV 与 DUV 浸没式光刻机产能，同时通过设备升级套件提升现有机台晶圆产出效率。High‑NA EUV 已经进入量产验证阶段，英特尔 18A 工艺率先落地使用该设备生产处理器芯片ASML。

ASML 高级副总裁 Greet Storms：截至 2026 年 7 月，High‑NA EUV 累计曝光晶圆突破 135 万片，全球 4 家客户完成装机，合计 10 台整机投入验证，另有 3 台在出货装机。EXE:5200B 吞吐量提升至每小时 135 片晶圆，相比上一代提升 35%;设备持续迭代，缩短客户工艺学习周期，逐步满足大规模制造的稳定性要求。

ASML CFO 戴厚杰：2026 年 Low‑NA EUV 交付目标 65 台，2027 年有望提升至 80 台。1000 瓦 EUV 光源验证完成，这条技术路线可以持续扩展，预计 2031 年单台设备晶圆产能可提升至每小时 330 片。DUV 设备市场需求重新回暖，在成熟制程、功率半导体、存储芯片领域长期不可替代硬科技。

二、国际产业分析师与海外企业专家观点

SemiAnalysis 分析师 Jeff Koch：High‑NA EUV 是进化型技术而非颠覆性革命，性能提升幅度 30%-50%。这是 ASML 历史上首款面临头部大客户暂缓导入的高端设备，商业落地存在不确定性，需要持续验证工艺收益，证明巨额投入的回报价值。

英伟达黄仁勋：中国在 2030 年前有望做出自主先进光刻系统，一旦完成技术验证，依托国内完备制造能力，国产光刻设备进入本土晶圆厂是时间问题。先进光刻不只有 EUV 一条路线，DUV 成熟光刻系统同样具备巨大产业价值。

蔡司半导体负责人 Frank Rohmund：单纯对标 ASML EUV 级别的光刻机，国内研发周期预计仍需要 15 年。EUV 难点不在于单一零部件，而是光学、真空、精密运动、光源全链条的协同与长期工艺磨合，光学系统的长期稳定性是最大挑战。

三、国内院士、半导体行业专家观点

王阳元院士等国内半导体专家团队：光刻机是集成电路产业的核心卡脖子装备，需要立足国内产业链，构建中国版光刻装备龙头。不能抱有外部技术引进的幻想，需要整机、光学、光源、精密运动平台协同攻关，分阶段突破成熟制程光刻设备，再冲击高端节点，政策、资本、产业链需要形成合力。

设备研发专家高安：光刻机研发分为整机集成与分系统零部件两大难点。一台光刻机整机装配标定超过千道工序，周期长达三个月。国内短板集中在一级分系统，光学镜头、运动平台、控制软件都需要持续攻关;整机设计能力和零部件配套能力缺一不可，只做零部件无法形成可用整机，只做整机缺少配套零部件同样无法落地。

通信产业专家项立刚：光刻机长期垄断的格局会逐步松动。回顾盾构机、光伏装备国产化历程，一旦国内掌握核心技术，高端装备会从稀缺奢侈品转化为标准化工业装备。但需要客观看待生态壁垒，ASML 几十年和晶圆厂协同打磨工艺，国产设备即便参数达标，也要长时间进行产线工艺验证，同时还要应对专利壁垒、高端人才缺口等挑战。

科技部科技专家库专家周迪：国内光刻装备正处于产业化落地阶段，350nm 步进式光刻机已经实现化合物半导体领域批量订单。当前重点不是一步到位冲击 EUV，优先补齐成熟制程设备，在功率器件、MEMS、第三代半导体等场景完成商业验证，持续迭代完善本土供应链生态。

四、产业共性专家共识(发布会圆桌总结)

技术路线共识：DUV 浸没式光刻机不会因为 EUV 普及而被淘汰，在成熟工艺、功率半导体、存储芯片领域未来 10 年依旧是主力设备，是国内现阶段国产化攻坚重点。High‑NA EUV 面向 2nm 及以下最先进逻辑芯片，市场容量小、单价极高，属于小众高端装备。

产业链共识：光刻机不是单一设备竞争，是完整生态竞争。光学、精密机械、真空、光源、控制软件、光刻胶、掩膜版，上下游零部件同步成熟，设备才能稳定量产。单纯攻克整机，配套供应链跟不上，设备很难在产线长期稳定运行。

商业化共识：设备参数达标不等于产业化成功。光刻机需要和晶圆厂工艺长时间联合调试，良率、稳定性、维护成本、售后维保，才是晶圆厂采购的核心判断指标，样机和量产商用存在巨大鸿沟。

周期判断共识：半导体设备属于长周期行业，光刻装备研发迭代以十年为单位，短期很难实现跨越式突破，需要持续稳定研发投入，循序渐进分节点实现技术突破。

五、风险提示(专家集体提醒)

第一，半导体周期性风险。AI 驱动的设备高景气具备周期性，一旦下游芯片资本开支收缩，光刻机订单会快速回落。第二，技术路线风险。先进制程芯片除 EUV 光刻，还有多重曝光、新光刻技术、芯片封装等替代方案，未来技术路线存在不确定性。第三，人才短板。光刻机领域高端复合型人才稀缺，人才储备是长期制约国产光刻设备迭代的关键瓶颈。